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半導體的檢測與分析是一個介于基礎研究與應用研究之間的設計內容很廣而又不斷蓬勃發展的領域，在半導體材料的研究中，電阻率，載流子密度和遷移率是測試的關鍵參數。目前對半導體材料進行物理和化學研究的方法有很多，如透射電鏡、拉曼光譜、電化學C-V、X射線雙晶衍射等。